Proses 22 nm: Riwayat revisi

Pilih dua tombol radio lalu tekan tombol bandingkan untuk membandingkan versi. Klik suatu tanggal untuk melihat versi halaman pada tanggal tersebut.

(skr) = perbedaan dengan versi sekarang, (akhir) = perbedaan dengan versi sebelumnya,  k = suntingan kecil, → = suntingan bagian, ← = ringkasan suntingan otomatis

8 Mei 2024

  • skrgsblm 17.298 Mei 2024 17.29Hartanto Wibowo bicara kontrib 3.472 bita +3.472 ←Membuat halaman berisi 'Node "2'''2 nm'''" adalah langkah proses setelah 32 nm dalam fabrikasi perangkat semikonduktor CMOS MOSFET. Half-pitch yang khas (yaitu, setengah jarak antara fitur identik dalam array) untuk sel memori yang menggunakan proses ini adalah sekitar 22 nm. Ini pertama kali didemonstrasikan oleh perusahaan semikonduktor untuk digunakan dalam memori RAM pada tahun 2008. Pada tahun 2010, Toshiba mulai mengirimkan chip memori...'