Dioda laser: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k bot Menambah: sl:Polprevodniški laser |
Tidak ada ringkasan suntingan |
||
| (13 revisi perantara oleh 11 pengguna tidak ditampilkan) | |||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
[[Berkas:LASER.jpg|jmpl|Dioda laser]] |
|||
'''Dioda laser''' adalah sejenis [[dioda]] di mana media aktifnya menggunakan sebuah [[semikonduktor]] persimpangan p-n yang mirip dengan yang terdapat pada [[dioda pemancar cahaya]]. Dioda laser kadang juga disingkat '''LD''' atau '''ILD'''. |
'''Dioda laser''' adalah sejenis [[dioda]] di mana media aktifnya menggunakan sebuah [[semikonduktor]] persimpangan p-n yang mirip dengan yang terdapat pada [[dioda pemancar cahaya]]. Dioda laser kadang juga disingkat '''LD''' atau '''ILD'''. |
||
| ⚫ | |||
| ⚫ | |||
Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan [[Universitas Harvard]]. Prinsip kerja dioda ini sama seperti |
Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan [[Universitas Harvard]]. Prinsip kerja dioda ini sama seperti Dioda lainnya yaitu melalui sirkuit dari rangkaian [[elektronik]]a, yang terdiri dari jenis p dan n. Pada kedua jenis ini sering dihasilkan 2 tegangan, yaitu: |
||
# ''biased forward'', arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang di atas ( + ). |
# ''biased forward'', arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang di atas ( + ). |
||
# ''backforward biased'', ini merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika. |
# ''backforward biased'', ini merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika. |
||
==Bacaan lanjutan== |
|||
* B. Van Zeghbroeck's ''Principles of Semiconductor Devices''( for direct and indirect band gaps) |
|||
* Saleh, Bahaa E. A. and Teich, Malvin Carl (1991). ''Fundamentals of Photonics''. New York: John Wiley & Sons. {{ISBN|0-471-83965-5}}. ( For Stimulated Emission ) |
|||
* Koyama et al., Fumio (1988), "Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser", Trans. IEICE, E71(11): 1089–1090( for VCSELS) |
|||
* Iga, Kenichi (2000), "Surface-emitting laser—Its birth and generation of new optoelectronics field", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6(6): 1201–1215(for VECSELS) |
|||
* [[F. J. Duarte|Duarte, F. J.]] (2016), "Broadly tunable dispersive external-cavity semiconductor lasers", in ''Tunable Laser Applications''. New York: CRC Press. {{ISBN|9781482261066}}. [http://www.tunablelasers.com/tla.htm pp. 203–241] (For external cavity Diode lasers). |
|||
{{elektronik-stub}} |
{{elektronik-stub}} |
||
| Baris 10: | Baris 18: | ||
[[Kategori:Dioda optikal]] |
[[Kategori:Dioda optikal]] |
||
[[Kategori:Laser]] |
[[Kategori:Laser]] |
||
[[ar:ليزر اشباه الموصلات]] |
|||
[[bg:Лазерен диод]] |
|||
[[ca:Díode làser]] |
|||
[[cs:Laserová dioda]] |
|||
[[da:Laserdiode]] |
|||
[[de:Laserdiode]] |
|||
[[en:Laser diode]] |
|||
[[es:Diodo láser]] |
|||
[[fr:Diode laser]] |
|||
[[it:Diodo laser]] |
|||
[[ja:半導体レーザー]] |
|||
[[ko:반도체 레이저]] |
|||
[[lt:Lazerinis diodas]] |
|||
[[lv:Lāzerdiode]] |
|||
[[nl:Diodelaser]] |
|||
[[pl:Laser półprzewodnikowy]] |
|||
[[pt:Laser díodo]] |
|||
[[ro:Diodă laser]] |
|||
[[ru:Лазерный диод]] |
|||
[[sk:Laserová dióda]] |
|||
[[sl:Polprevodniški laser]] |
|||
[[sr:Полупроводнички ласери]] |
|||
[[sv:Halvledarlaser]] |
|||
[[uk:Лазерний діод]] |
|||
[[vi:Diod laser]] |
|||
[[zh:激光二極管]] |
|||
Revisi terkini sejak 26 Februari 2022 05.42
Dioda laser adalah sejenis dioda di mana media aktifnya menggunakan sebuah semikonduktor persimpangan p-n yang mirip dengan yang terdapat pada dioda pemancar cahaya. Dioda laser kadang juga disingkat LD atau ILD.
Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan Universitas Harvard. Prinsip kerja dioda ini sama seperti Dioda lainnya yaitu melalui sirkuit dari rangkaian elektronika, yang terdiri dari jenis p dan n. Pada kedua jenis ini sering dihasilkan 2 tegangan, yaitu:
- biased forward, arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang di atas ( + ).
- backforward biased, ini merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika.
Bacaan lanjutan
[sunting | sunting sumber]- B. Van Zeghbroeck's Principles of Semiconductor Devices( for direct and indirect band gaps)
- Saleh, Bahaa E. A. and Teich, Malvin Carl (1991). Fundamentals of Photonics. New York: John Wiley & Sons. ISBN 0-471-83965-5. ( For Stimulated Emission )
- Koyama et al., Fumio (1988), "Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser", Trans. IEICE, E71(11): 1089–1090( for VCSELS)
- Iga, Kenichi (2000), "Surface-emitting laser—Its birth and generation of new optoelectronics field", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6(6): 1201–1215(for VECSELS)
- Duarte, F. J. (2016), "Broadly tunable dispersive external-cavity semiconductor lasers", in Tunable Laser Applications. New York: CRC Press. ISBN 9781482261066. pp. 203–241 (For external cavity Diode lasers).
 | Artikel bertopik elektronika ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya. |