Pengendapan uap kimia: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k +interwiki |
k {{judul asing}} |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
{{rapikan}} |
{{rapikan}} |
||
{{judul asing}} |
|||
'''Chemical Vapor Deposition''' adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. |
'''Chemical Vapor Deposition''' adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. |
||
Revisi per 21 Juni 2006 00.34
 | artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. |
 | Artikel ini membutuhkan judul dalam bahasa Indonesia yang sepadan dengan judul aslinya. |
Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
- Panas: Thermal CVD
- Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- Radiasi: Radiation Enhanced CVD