Pengendapan uap kimia: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k robot Adding: fi:CVD |
k bot Menambah: fa:رسوب شیمیایی بخار |
||
| Baris 11: | Baris 11: | ||
[[de:Chemische Gasphasenabscheidung]] |
[[de:Chemische Gasphasenabscheidung]] |
||
[[en:Chemical vapor deposition]] |
[[en:Chemical vapor deposition]] |
||
[[fa:رسوب شیمیایی بخار]] |
|||
[[fi:CVD]] |
[[fi:CVD]] |
||
[[fr:Dépôt chimique en phase vapeur]] |
[[fr:Dépôt chimique en phase vapeur]] |
||
Revisi per 3 Maret 2008 23.06
 | artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. |
 | Artikel ini membutuhkan judul dalam bahasa Indonesia yang sepadan dengan judul aslinya. |
Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
- Panas: Thermal CVD
- Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- Radiasi: Radiation Enhanced CVD