Resistor foto: Perbedaan antara revisi
Tampilan
Konten dihapus Konten ditambahkan
kTidak ada ringkasan suntingan |
k Robot: Cosmetic changes |
||
Baris 1: | Baris 1: | ||
[[ |
[[Berkas:LDR.jpg|thumb|LDR]] |
||
'''Resistor peka cahaya''' atau '''fotoresistor''' adalah [[komponen elektronik]] yang [[resistansi listrik| |
'''Resistor peka cahaya''' atau '''fotoresistor''' adalah [[komponen elektronik]] yang [[resistansi listrik|resistansinya]] akan menurun jika ada penambahan intensitas cahaya yang mengenainya. Fotoresistor dapat merujuk pula pada '''''light-dependent resistor''''' (LDR), atau '''fotokonduktor'''. |
||
Fotoresistor dibuat dari [[semikonduktor]] beresistansi tinggi. Jika cahaya yang mengenainya memiliki [[frekuensi]] yang cukup tinggi, [[foton]] yang diserap oleh semikonduktor akan menyebabkan [[elektron]] memiliki energi yang cukup untuk meloncat ke [[pita konduksi]]. Elektron bebas yang dihasilkan (dan pasangan [[lubang elektron| |
Fotoresistor dibuat dari [[semikonduktor]] beresistansi tinggi. Jika cahaya yang mengenainya memiliki [[frekuensi]] yang cukup tinggi, [[foton]] yang diserap oleh semikonduktor akan menyebabkan [[elektron]] memiliki energi yang cukup untuk meloncat ke [[pita konduksi]]. Elektron bebas yang dihasilkan (dan pasangan [[lubang elektron|lubangnya]]) akan mengalirkan listrik, sehingga menurunkan [[resistansi listrik|resistansinya]]. |
||
<!-- |
<!-- |
||
A photoelectric device can be either intrinsic or extrinsic. An intrinsic semiconductor has its own charge carriers and is not an efficient semiconductor, eg. silicon. In intrinsic devices, the only available electrons are in the [[valence band]], and hence the photon must have enough energy to excite the electron across the entire [[bandgap]]. Extrinsic devices have impurities added, which have a ground state energy closer to the conduction band — since the electrons don't have as far to jump, lower energy photons (i.e. longer wavelengths and lower frequencies) are sufficient to trigger the device. If a sample of silicon has some of its atoms replaced by phosphorus atoms(impurities), there will be extra electrons available for conduction. This is an example of an extrinsic semiconductor. |
A photoelectric device can be either intrinsic or extrinsic. An intrinsic semiconductor has its own charge carriers and is not an efficient semiconductor, eg. silicon. In intrinsic devices, the only available electrons are in the [[valence band]], and hence the photon must have enough energy to excite the electron across the entire [[bandgap]]. Extrinsic devices have impurities added, which have a ground state energy closer to the conduction band — since the electrons don't have as far to jump, lower energy photons (i.e. longer wavelengths and lower frequencies) are sufficient to trigger the device. If a sample of silicon has some of its atoms replaced by phosphorus atoms(impurities), there will be extra electrons available for conduction. This is an example of an extrinsic semiconductor. |
||
Baris 19: | Baris 19: | ||
[[Image:15580.gif]] |
[[Image:15580.gif]] |
||
--> |
--> |
||
==Lihat pula== |
== Lihat pula == |
||
*[[Optoelektronika]] |
*[[Optoelektronika]] |
||
*[[Sensor cahaya]] |
*[[Sensor cahaya]] |
||
Baris 25: | Baris 25: | ||
{{teknologi-stub}} |
{{teknologi-stub}} |
||
[[ |
[[Kategori:Komponen resistif]] |
||
[[ |
[[Kategori:Perangkat optis]] |
||
[[ |
[[Kategori:Sensor]] |
||
[[cs:Fotorezistor]] |
[[cs:Fotorezistor]] |
||
Baris 41: | Baris 42: | ||
[[pl:Fotorezystor]] |
[[pl:Fotorezystor]] |
||
[[pt:LDR]] |
[[pt:LDR]] |
||
⚫ | |||
[[ru:Фоторезистор]] |
[[ru:Фоторезистор]] |
||
⚫ |
Revisi per 4 Maret 2008 04.21
Resistor peka cahaya atau fotoresistor adalah komponen elektronik yang resistansinya akan menurun jika ada penambahan intensitas cahaya yang mengenainya. Fotoresistor dapat merujuk pula pada light-dependent resistor (LDR), atau fotokonduktor.
Fotoresistor dibuat dari semikonduktor beresistansi tinggi. Jika cahaya yang mengenainya memiliki frekuensi yang cukup tinggi, foton yang diserap oleh semikonduktor akan menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk meloncat ke pita konduksi. Elektron bebas yang dihasilkan (dan pasangan lubangnya) akan mengalirkan listrik, sehingga menurunkan resistansinya.