Pengendapan uap kimia: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Tidak ada ringkasan suntingan |
k rapikan |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
{{rapikan}} |
|||
Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. |
'''Chemical Vapor Deposition''' adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. |
||
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain: |
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain: |
||
Panas: Thermal CVD |
* Panas: Thermal CVD |
||
Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD) |
* Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD) |
||
Radiasi: Radiation Enhanced CVD |
* Radiasi: Radiation Enhanced CVD |
||
Revisi per 20 Juni 2006 10.11
 | artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. |
Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
- Panas: Thermal CVD
- Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- Radiasi: Radiation Enhanced CVD