Pengendapan uap kimia: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k rapikan |
k +interwiki |
||
| Baris 6: | Baris 6: | ||
* Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD) |
* Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD) |
||
* Radiasi: Radiation Enhanced CVD |
* Radiasi: Radiation Enhanced CVD |
||
[[cs:Chemická depozice z plynné fáze]] |
|||
[[de:Chemische Gasphasenabscheidung]] |
|||
[[en:Chemical vapor deposition]] |
|||
[[fr:Dépôt chimique en phase vapeur]] |
|||
[[it:Chemical vapor deposition]] |
|||
[[nl:CVD-proces]] |
|||
[[ja:化学気相成長]] |
|||
[[zh:化学气相沉积]] |
|||
Revisi per 21 Juni 2006 00.33
 | artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. |
Chemical Vapor Deposition adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
- Panas: Thermal CVD
- Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- Radiasi: Radiation Enhanced CVD