Pengendapan uap kimia: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k bot Menambah: ko:화학기상증착 |
k bot Menambah: pt:Deposição química em fase vapor |
||
| Baris 26: | Baris 26: | ||
[[nl:Chemical vapor deposition]] |
[[nl:Chemical vapor deposition]] |
||
[[pl:Chemiczne osadzanie z fazy gazowej]] |
[[pl:Chemiczne osadzanie z fazy gazowej]] |
||
[[pt:Deposição química em fase vapor]] |
|||
[[ru:CVD-процесс]] |
[[ru:CVD-процесс]] |
||
[[simple:Chemical vapor deposition]] |
[[simple:Chemical vapor deposition]] |
||
Revisi per 4 Oktober 2010 14.34
 | artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. |
Pengendapan uap kimia (bahasa Inggris: chemical vapor deposition, CVD) adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
- Panas: Thermal CVD
- Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- Radiasi: Radiation Enhanced CVD
 | Artikel bertopik kimia ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya. |