Pengendapan uap kimia
 | artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia. |
Pengendapan uap kimia (bahasa Inggris: chemical vapor deposition, CVD) adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi di permukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.
Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
- Panas: Thermal CVD
- Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- Radiasi: Radiation Enhanced CVD
| Perpustakaan nasional | |
|---|---|
| Lain-lain | |
 | Artikel bertopik kimia ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya. |