Hafnium dioksida: Perbedaan antara revisi

Hafnium dioksida
Nama
	Nama IUPAC Hafnium(IV) oxide
	Nama lain Hafnium dioksida; Hafnia
Penanda
Nomor CAS	12055-23-1 ;
Model 3D (JSmol)	Gambar interaktif;
3DMet	{{{3DMet}}}
ChemSpider	258363 ;
Nomor EC
PubChem CID	292779;
Nomor RTECS	{{{value}}}
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID70893204 ;
	InChI InChI=1S/Hf.2O Key: CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N ; InChI=1/Hf.2O/rHfO2/c2-1-3 Key: CJNBYAVZURUTKZ-MSHMTBKAAI;
	SMILES O=[Hf]=O;
Sifat
Rumus kimia	HfO2
Massa molar	210,49 g/mol
Penampilan	Bubuk putih (off-white)
Densitas	9,68 g/cm3, padat
Titik lebur	2.758 °C (3.031 K)
Titik didih	5.400 °C (5.670 K)
Kelarutan dalam air	tak larut
Suseptibilitas magnetik (χ)	−23,0·10−6 cm3/mol
Bahaya
Titik nyala	Tidak mudah terbakar
Senyawa terkait
Kation lainnya	Titanium(IV) oksida; Zirkonium(IV) oksida
Senyawa terkait	Hafnium nitrida
	Kecuali dinyatakan lain, data di atas berlaku pada suhu dan tekanan standar (25 °C [77 °F], 100 kPa).
	verifikasi (apa ini ?)
	Referensi

Jelajahi riwayat secara interaktif

← Revisi sebelumnya

Konten dihapus Konten ditambahkan

VisualTeks wiki

Sebaris

Revisi terkini sejak 12 Agustus 2023 22.47

Hafnium(IV) oksida adalah suatu senyawa anorganik dengan rumus Hf O₂. Dikenal juga sebagai hafnia, padatan tak berwarna ini adalah salah satu senyawa hafnium yang paling umum dan stabil. Ini adalah isolator listrik dengan celah pita antara 5,3 ~ 5,7 eV.^[1] Hafnium dioksida adalah zat antara dalam beberapa proses yang menghasilkan logam hafnium.

Hafnium(IV) oksida cukup inert. Ia bereaksi dengan asam kuat seperti asam sulfat pekat dan dengan basa kuat. Ia larut perlahan dalam asam fluorida membentuk anion fluorohafnat. Pada suhu tinggi, ia bereaksi dengan klorin dengan adanya grafit atau karbon tetraklorida untuk menghasilkan hafnium tetraklorida.

Struktur

Hafnia mengadopsi struktur yang sama dengan zirkonia (ZrO₂). Tidak seperti TiO₂, yang memiliki Ti enam koordinasi dalam semua fase, zirkonia dan hafnia terdiri dari pusat logam dengan tujuh koordinasi. Berbagai fase kristal telah diamati secara eksperimental, termasuk kubik (Fm-3m), tetragonal (P4₂/nmc), monoklinik (P2₁/c) dan ortorombik (Pbca dan Pnma).^[2] Diketahui pula bahwa hafnia dapat mengadopsi dua fase metastabil ortorombik lainnya (kelompok ruang Pca2₁ dan Pmn2₁) pada berbagai tekanan dan suhu,^[3] mungkin menjadi sumber ferroelectricity yang baru-baru ini teramati pada film tipis hafnia.^[4]

Film tipis hafnium oksida, yang digunakan pada perangkat semikonduktor modern, sering diendapkan dengan struktur amorf (biasanya oleh deposisi lapisan atom). Potensi manfaat struktur amorf telah memicu peneliti untuk memadukan hafnium oksida dengan silikon (membentuk hafnium silikat) atau aluminium, untuk meningkatkan suhu kristalisasi hafnium oksida.^[5]

Aplikasi

Hafnia digunakan dalam lapisan optik, dan sebagai kapasitor dielektrik κ tinggi] pada kapasitor DRAM dan di perangkat semikonduktor logam oksida modern.^[6] Oksida berbasis Hafnium diperkenalkan oleh Intel pada tahun 2007 sebagai pengganti silikon oksida sebagai isolator gerbang dalam transistor efek–medan.^[7] Keuntungan transistor jenis ini adalah konstanta dielektrik yang tinggi: monstanta dielektrik HfO₂ adalah 4–6 kali lebih tinggi daripada SiO₂.^[8] Konstanta dielektrik dan sifat lainnya bergantung pada metode deposisi, komposisi dan struktur mikro material.

Dalam beberapa tahun terakhir, hafnium oksida (baik yang didoping maupun kekurangan oksigen) menarik minat tambahan sebagai calon pengganti memori resistif.^[9]

Mengingat titik leburnya yang sangat tinggi, hafnia juga digunakan sebagai bahan refraktori dalam isolasi perangkat seperti termokopel, yang dapat beroperasi pada suhu sampai dengan 2500 °C.^[10]

Film multilapis dari hafnium dioksida, silika, dan bahan lainnya telah dikembangkan untuk digunakan sebagai pendingin pasif pada bangunan. Film-film tersebut memantulkan sinar matahari dan memancarkan panas pada panjang gelombang yang melewati atmosfer bumi, dan dapat memiliki suhu beberapa derajat lebih dingin daripada bahan di sekitarnya di bawah kondisi yang sama.^[11]

Referensi

^ Bersch, Eric; et al. "Band offsets of ultrathin high-k oxide films with Si". Phys. Rev. B. 78: 085114. doi:10.1103/PhysRevB.78.085114. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-05-23. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ Table III, V. Miikkulainen; et al. (2013). "Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview and general trends". Journal of Applied Physics. 113: 021301. doi:10.1063/1.4757907. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2016-04-26. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ T. D. Huan; V. Sharma; G. A. Rossetti, Jr.; R. Ramprasad (2014). "Pathways towards ferroelectricity in hafnia". Physical Review B. 90: 064111. doi:10.1103/PhysRevB.90.064111. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-08-12. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ T. S. Boscke (2011). "Ferroelectricity in hafnium oxide thin films". Applied Physics Letters. 99: 102903. doi:10.1063/1.3634052. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-08-12. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ J.H. Choi; et al. (2011). "Development of hafnium based high-k materials—A review". Materials Science and Engineering: R. 72 (6): 97–136. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2015-09-24. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ H. Zhu; C. Tang; L. R. C. Fonseca; R. Ramprasad (2012). "Recent progress in ab initio simulations of hafnia-based gate stacks". Journal of Materials Science. 47: 7399. doi:10.1007/s10853-012-6568-y. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2018-06-09. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance Diarsipkan 2023-05-07 di Wayback Machine., Nov. 11, 2007
^ Review article Diarsipkan 2023-08-12 di Wayback Machine. by Wilk et al. in the Journal of Applied Physics, Table 1
^ K.-L. Lin; et al. (2011). "Electrode dependence of filament formation in HfO2 resistive-switching memory". Journal of Applied Physics. 109: 084104. doi:10.1063/1.3567915. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2016-03-03. Diakses tanggal 2017-05-29.
^ Very High Temperature Exotic Thermocouple Probes product data Diarsipkan 2012-02-19 di Wayback Machine., Omega Engineering, Inc., retrieved 2008-12-03
^ "Aaswath Raman | Innovators Under 35 | MIT Technology Review". August 2015. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2019-10-25. Diakses tanggal 2015-09-02.

[1] Bersch, Eric; et al. "Band offsets of ultrathin high-k oxide films with Si". Phys. Rev. B. 78: 085114. doi:10.1103/PhysRevB.78.085114. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-05-23. Diakses tanggal 2017-05-29.

[2] Table III, V. Miikkulainen; et al. (2013). "Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview and general trends". Journal of Applied Physics. 113: 021301. doi:10.1063/1.4757907. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2016-04-26. Diakses tanggal 2017-05-29.

[3] T. D. Huan; V. Sharma; G. A. Rossetti, Jr.; R. Ramprasad (2014). "Pathways towards ferroelectricity in hafnia". Physical Review B. 90: 064111. doi:10.1103/PhysRevB.90.064111. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-08-12. Diakses tanggal 2017-05-29.

[4] T. S. Boscke (2011). "Ferroelectricity in hafnium oxide thin films". Applied Physics Letters. 99: 102903. doi:10.1063/1.3634052. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-08-12. Diakses tanggal 2017-05-29.

[5] J.H. Choi; et al. (2011). "Development of hafnium based high-k materials—A review". Materials Science and Engineering: R. 72 (6): 97–136. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2015-09-24. Diakses tanggal 2017-05-29.

[6] H. Zhu; C. Tang; L. R. C. Fonseca; R. Ramprasad (2012). "Recent progress in ab initio simulations of hafnia-based gate stacks". Journal of Materials Science. 47: 7399. doi:10.1007/s10853-012-6568-y. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2018-06-09. Diakses tanggal 2017-05-29.

[7] Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance Diarsipkan 2023-05-07 di Wayback Machine., Nov. 11, 2007

[8] Review article Diarsipkan 2023-08-12 di Wayback Machine. by Wilk et al. in the Journal of Applied Physics, Table 1

[9] K.-L. Lin; et al. (2011). "Electrode dependence of filament formation in HfO2 resistive-switching memory". Journal of Applied Physics. 109: 084104. doi:10.1063/1.3567915. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2016-03-03. Diakses tanggal 2017-05-29.

[10] Very High Temperature Exotic Thermocouple Probes product data Diarsipkan 2012-02-19 di Wayback Machine., Omega Engineering, Inc., retrieved 2008-12-03

[11] "Aaswath Raman | Innovators Under 35 | MIT Technology Review". August 2015. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2019-10-25. Diakses tanggal 2015-09-02.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

@@ Baris 40: / Baris 40: @@
 | pKa =
 | pKb =
-| MagSus = &minus;23,0·10<sup>−6</sup> cm<sup>3</sup>/mol
+| MagSus = −23,0·10<sup>−6</sup> cm<sup>3</sup>/mol
   }}
 |Section7={{Chembox Hazards
@@ Baris 62: / Baris 62: @@
 }}
-{{SenyawaAnorganik|Hafnium(IV) oksida|[[Hafnium|Hf]][[Oksigen|O]]{{sub|2}}}}Dikenal juga sebagai '''hafnia''', padatan tak berwarna ini adalah salah satu senyawa [[hafnium]] yang paling umum dan stabil. Ini adalah isolator listrik dengan [[celah pita]]<!--[[:en:Band gap]]--> antara 5,3 ~ 5,7 [[Elektron volt|eV]].<ref>{{cite journal |last=Bersch |first=Eric|title=Band offsets of ultrathin high-k oxide films with Si |url=http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.78.085114 |journal=Phys. Rev. B |volume=78 |pages=085114 |doi=10.1103/PhysRevB.78.085114|display-authors=etal}}</ref> Hafnium dioksida adalah zat antara dalam beberapa proses yang menghasilkan logam hafnium.
+{{SenyawaAnorganik|Hafnium(IV) oksida|[[Hafnium|Hf]][[Oksigen|O]]{{sub|2}}}}Dikenal juga sebagai '''hafnia''', padatan tak berwarna ini adalah salah satu senyawa [[hafnium]] yang paling umum dan stabil. Ini adalah isolator listrik dengan [[celah pita]]<!--[[:en:Band gap]]--> antara 5,3 ~ 5,7 [[Elektron volt|eV]].<ref>{{cite journal |last=Bersch |first=Eric |title=Band offsets of ultrathin high-k oxide films with Si |url=http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.78.085114 |journal=Phys. Rev. B |volume=78 |pages=085114 |doi=10.1103/PhysRevB.78.085114 |display-authors=etal |access-date=2017-05-29 |archive-date=2023-05-23 |archive-url=https://web.archive.org/web/20230523064547/https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.78.085114 |dead-url=no }}</ref> Hafnium dioksida adalah zat antara dalam beberapa proses yang menghasilkan logam hafnium.
 Hafnium(IV) oksida cukup inert. Ia bereaksi dengan [[asam]] kuat seperti [[asam sulfat]] pekat dan dengan [[basa]] kuat. Ia larut perlahan dalam [[asam fluorida]] membentuk anion fluorohafnat. Pada suhu tinggi, ia bereaksi dengan [[klorin]] dengan adanya [[grafit]] atau [[karbon tetraklorida]] untuk menghasilkan [[hafnium tetraklorida]].
 == Struktur ==
-Hafnia mengadopsi struktur yang sama dengan zirkonia (ZrO<sub>2</sub>). Tidak seperti TiO<sub>2</sub>, yang memiliki Ti enam koordinasi dalam semua fase, zirkonia dan hafnia terdiri dari pusat logam dengan tujuh koordinasi. Berbagai fase kristal telah diamati secara eksperimental, termasuk kubik (Fm-3m), tetragonal (P4<sub>2</sub>/nmc), monoklinik (P2<sub>1</sub>/c) dan ortorombik (Pbca dan Pnma).<ref>Table III, {{cite journal |author=V. Miikkulainen|year=2013 |journal=[[Journal of Applied Physics]] |title=Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview and general trends |url=http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/113/2/10.1063/1.4757907 |publisher= |volume=113 |issue= |pages=021301 |doi=10.1063/1.4757907 |pmc= |pmid= |display-authors=etal}}</ref> Diketahui pula bahwa hafnia dapat mengadopsi dua fase metastabil ortorombik lainnya (kelompok ruang Pca2<sub>1</sub> dan Pmn2<sub>1</sub>) pada berbagai tekanan dan suhu,<ref>{{cite journal |author1=T. D. Huan |author2=V. Sharma |author3=G. A. Rossetti, Jr. |author4=R. Ramprasad |year=2014 |journal=[[Physical Review B]] |title=Pathways towards ferroelectricity in hafnia |url=http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.064111 |volume=90  |pages=064111 |doi=10.1103/PhysRevB.90.064111}}</ref> mungkin menjadi sumber ''ferroelectricity'' yang baru-baru ini teramati pada film tipis hafnia.<ref>{{cite journal |author= T. S. Boscke  |year=2011 |journal=[[Applied Physics Letters]] |title=Ferroelectricity in hafnium oxide thin films |url=http://dx.doi.org/10.1063/1.3634052 |volume=99  |pages=102903 |doi=10.1063/1.3634052}}</ref>
+Hafnia mengadopsi struktur yang sama dengan zirkonia (ZrO<sub>2</sub>). Tidak seperti TiO<sub>2</sub>, yang memiliki Ti enam koordinasi dalam semua fase, zirkonia dan hafnia terdiri dari pusat logam dengan tujuh koordinasi. Berbagai fase kristal telah diamati secara eksperimental, termasuk kubik (Fm-3m), tetragonal (P4<sub>2</sub>/nmc), monoklinik (P2<sub>1</sub>/c) dan ortorombik (Pbca dan Pnma).<ref>Table III, {{cite journal |author=V. Miikkulainen |year=2013 |journal=[[Journal of Applied Physics]] |title=Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview and general trends |url=http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/113/2/10.1063/1.4757907 |publisher= |volume=113 |issue= |pages=021301 |doi=10.1063/1.4757907 |pmc= |pmid= |display-authors=etal |access-date=2017-05-29 |archive-date=2016-04-26 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160426222652/http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/113/2/10.1063/1.4757907 |dead-url=no }}</ref> Diketahui pula bahwa hafnia dapat mengadopsi dua fase metastabil ortorombik lainnya (kelompok ruang Pca2<sub>1</sub> dan Pmn2<sub>1</sub>) pada berbagai tekanan dan suhu,<ref>{{cite journal |author1=T. D. Huan |author2=V. Sharma |author3=G. A. Rossetti, Jr. |author4=R. Ramprasad |year=2014 |journal=[[Physical Review B]] |title=Pathways towards ferroelectricity in hafnia |url=http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.064111 |volume=90 |pages=064111 |doi=10.1103/PhysRevB.90.064111 |access-date=2017-05-29 |archive-date=2023-08-12 |archive-url=https://web.archive.org/web/20230812224709/https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.90.064111 |dead-url=no }}</ref> mungkin menjadi sumber ''ferroelectricity'' yang baru-baru ini teramati pada film tipis hafnia.<ref>{{cite journal |author=T. S. Boscke |year=2011 |journal=[[Applied Physics Letters]] |title=Ferroelectricity in hafnium oxide thin films |url=http://dx.doi.org/10.1063/1.3634052 |volume=99 |pages=102903 |doi=10.1063/1.3634052 |access-date=2017-05-29 |archive-date=2023-08-12 |archive-url=https://web.archive.org/web/20230812224710/https://pubs.aip.org/aip/apl/article-abstract/99/10/102903/121850/Ferroelectricity-in-hafnium-oxide-thin-films?redirectedFrom=fulltext |dead-url=no }}</ref>
-Film tipis hafnium oksida, yang digunakan pada perangkat semikonduktor modern, sering diendapkan dengan struktur amorf (biasanya oleh [[deposisi lapisan atom]]). Potensi manfaat struktur amorf telah memicu peneliti untuk memadukan hafnium oksida dengan silikon (membentuk [[hafnium silikat]]) atau aluminium, untuk meningkatkan suhu kristalisasi hafnium oksida.<ref>{{cite journal |author=J.H. Choi|year=2011 |journal=Materials Science and Engineering: R |title=Development of hafnium based high-k materials—A review |url=http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X10001683 |publisher= |volume=72 |issue=6 |pages=97–136 |doi=10.1016/j.mser.2010.12.001 |pmc= |pmid= |display-authors=etal}}</ref>
+Film tipis hafnium oksida, yang digunakan pada perangkat semikonduktor modern, sering diendapkan dengan struktur amorf (biasanya oleh [[deposisi lapisan atom]]). Potensi manfaat struktur amorf telah memicu peneliti untuk memadukan hafnium oksida dengan silikon (membentuk [[hafnium silikat]]) atau aluminium, untuk meningkatkan suhu kristalisasi hafnium oksida.<ref>{{cite journal |author=J.H. Choi |year=2011 |journal=Materials Science and Engineering: R |title=Development of hafnium based high-k materials—A review |url=http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X10001683 |publisher= |volume=72 |issue=6 |pages=97–136 |doi=10.1016/j.mser.2010.12.001 |pmc= |pmid= |display-authors=etal |access-date=2017-05-29 |archive-date=2015-09-24 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150924181532/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X10001683 |dead-url=no }}</ref>
 == Aplikasi ==
-Hafnia digunakan dalam [[lapisan optik]], dan sebagai kapasitor [[dielektrik κ tinggi]]] pada kapasitor [[Memori akses acak dinamis|DRAM]] dan di perangkat [[semikonduktor logam oksida]] modern.<ref>{{cite journal |author1=H. Zhu |author2=C. Tang |author3=L. R. C. Fonseca |author4=R. Ramprasad |year=2012 |journal=[[Journal of Materials Science]] |title=Recent progress in ab initio simulations of hafnia-based gate stacks |url=http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10853-012-6568-y |volume=47  |pages=7399 |doi=    10.1007/s10853-012-6568-y}}</ref> Oksida berbasis Hafnium diperkenalkan oleh [[Intel]] pada tahun 2007 sebagai pengganti [[silikon oksida]] sebagai isolator gerbang dalam [[transistor efek–medan]].<ref>[http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/2007/20071111comp.htm Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance], Nov. 11, 2007</ref> Keuntungan transistor jenis ini adalah [[konstanta dielektrik]] yang tinggi: monstanta dielektrik HfO<sub>2</sub> adalah 4–6 kali lebih tinggi daripada SiO<sub>2</sub>.<ref>[http://dx.doi.org/10.1063/1.1361065 Review article] by Wilk ''et al.'' in the [[Journal of Applied Physics]], Table 1</ref> Konstanta dielektrik dan sifat lainnya bergantung pada metode deposisi, komposisi dan struktur mikro material.
+Hafnia digunakan dalam [[lapisan optik]], dan sebagai kapasitor [[dielektrik κ tinggi]]] pada kapasitor [[Memori akses acak dinamis|DRAM]] dan di perangkat [[semikonduktor logam oksida]] modern.<ref>{{cite journal |author1=H. Zhu |author2=C. Tang |author3=L. R. C. Fonseca |author4=R. Ramprasad |year=2012 |journal=[[Journal of Materials Science]] |title=Recent progress in ab initio simulations of hafnia-based gate stacks |url=http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10853-012-6568-y |volume=47 |pages=7399 |doi=10.1007/s10853-012-6568-y |access-date=2017-05-29 |archive-date=2018-06-09 |archive-url=https://web.archive.org/web/20180609221709/https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10853-012-6568-y |dead-url=no }}</ref> Oksida berbasis Hafnium diperkenalkan oleh [[Intel]] pada tahun 2007 sebagai pengganti [[silikon oksida]] sebagai isolator gerbang dalam [[transistor efek–medan]].<ref>[http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/2007/20071111comp.htm Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230507102100/https://www.intel.com/pressroom/archive/releases/2007/20071111comp.htm |date=2023-05-07 }}, Nov. 11, 2007</ref> Keuntungan transistor jenis ini adalah [[konstanta dielektrik]] yang tinggi: monstanta dielektrik HfO<sub>2</sub> adalah 4–6 kali lebih tinggi daripada SiO<sub>2</sub>.<ref>[http://dx.doi.org/10.1063/1.1361065 Review article] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230812224729/https://pubs.aip.org/aip/jap/article-abstract/89/10/5243/291412/High-gate-dielectrics-Current-status-and-materials?redirectedFrom=fulltext |date=2023-08-12 }} by Wilk ''et al.'' in the [[Journal of Applied Physics]], Table 1</ref> Konstanta dielektrik dan sifat lainnya bergantung pada metode deposisi, komposisi dan struktur mikro material.
-Dalam beberapa tahun terakhir, hafnium oksida (baik yang didoping maupun kekurangan oksigen) menarik minat tambahan sebagai calon pengganti memori resistif.<ref>{{cite journal |author=K.-L. Lin|year=2011 |journal=[[Journal of Applied Physics]] |title=Electrode dependence of filament formation in HfO2 resistive-switching memory |url=http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/109/8/10.1063/1.3567915 |volume=109  |pages=084104 |doi=10.1063/1.3567915 |display-authors=etal}}</ref>
+Dalam beberapa tahun terakhir, hafnium oksida (baik yang didoping maupun kekurangan oksigen) menarik minat tambahan sebagai calon pengganti memori resistif.<ref>{{cite journal |author=K.-L. Lin |year=2011 |journal=[[Journal of Applied Physics]] |title=Electrode dependence of filament formation in HfO2 resistive-switching memory |url=http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/109/8/10.1063/1.3567915 |volume=109 |pages=084104 |doi=10.1063/1.3567915 |display-authors=etal |access-date=2017-05-29 |archive-date=2016-03-03 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160303204857/http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/109/8/10.1063/1.3567915 |dead-url=no }}</ref>
-Mengingat titik leburnya yang sangat tinggi, hafnia juga digunakan sebagai bahan refraktori dalam isolasi perangkat seperti [[termokopel]], yang dapat beroperasi pada suhu sampai dengan 2500&nbsp;°C.<ref>[http://www.omega.co.uk/ppt/pptsc.asp?ref=XTA-W5R26&Nav=tema06 ''Very High Temperature Exotic Thermocouple Probes'' product data], Omega Engineering, Inc., retrieved 2008-12-03</ref>
+Mengingat titik leburnya yang sangat tinggi, hafnia juga digunakan sebagai bahan refraktori dalam isolasi perangkat seperti [[termokopel]], yang dapat beroperasi pada suhu sampai dengan 2500&nbsp;°C.<ref>[http://www.omega.co.uk/ppt/pptsc.asp?ref=XTA-W5R26&Nav=tema06 ''Very High Temperature Exotic Thermocouple Probes'' product data] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120219035355/http://www.omega.co.uk/ppt/pptsc.asp?ref=XTA-W5R26&Nav=tema06 |date=2012-02-19 }}, Omega Engineering, Inc., retrieved 2008-12-03</ref>
-Film multilapis dari hafnium dioksida, silika, dan bahan lainnya telah dikembangkan untuk digunakan sebagai pendingin pasif pada bangunan. Film-film tersebut memantulkan sinar matahari dan memancarkan panas pada panjang gelombang yang melewati atmosfer bumi, dan dapat memiliki suhu beberapa derajat lebih dingin daripada bahan di sekitarnya di bawah kondisi yang sama.<ref>{{Cite web|title = Aaswath Raman {{!}} Innovators Under 35 {{!}} MIT Technology Review|url = http://www.technologyreview.com/lists/innovators-under-35/2015/pioneer/aaswath-raman/|accessdate = 2015-09-02|date = August 2015}}</ref>
+Film multilapis dari hafnium dioksida, silika, dan bahan lainnya telah dikembangkan untuk digunakan sebagai pendingin pasif pada bangunan. Film-film tersebut memantulkan sinar matahari dan memancarkan panas pada panjang gelombang yang melewati atmosfer bumi, dan dapat memiliki suhu beberapa derajat lebih dingin daripada bahan di sekitarnya di bawah kondisi yang sama.<ref>{{Cite web|title = Aaswath Raman {{!}} Innovators Under 35 {{!}} MIT Technology Review|url = http://www.technologyreview.com/lists/innovators-under-35/2015/pioneer/aaswath-raman/|accessdate = 2015-09-02|date = August 2015|archive-date = 2019-10-25|archive-url = https://web.archive.org/web/20191025222704/https://www.technologyreview.com/lists/innovators-under-35/2015/pioneer/aaswath-raman/|dead-url = no}}</ref>
 == Referensi ==
@@ Baris 86: / Baris 86: @@
 {{Oksida}}
 {{Senyawa oksigen}}
+{{Authority control}}
 [[Kategori:Dielektrik k tinggi]]

l b s Senyawa hafnium
Hf(II)	HfB₂
Hf(III)	HfI₃
Hf(IV)	HfC HfBr₄ HfCl₄ HfF₄ HfI₄ Hf(C₅H₇O₂)₄ Hf(OSO₂CF₃)₄ HfO₂ Hf(NO₃)₄ HfSiO₄ HfS₂ La₂Hf₂O₇ Ta₄HfC₅ CHf₂N

l b s Oksida
Tingkat oksidasi campuran	Antimon tetroksida (Sb' Too many ('";) Kobalt(II,III) oksida (Co' Too many ('";) Besi(II,III) oksida (Fe' Too many ('";) Timbal(II,IV) oksida (Pb' Too many ('";) Mangan(II,III) oksida (Mn' Too many ('";) Perak(I,III) oksida (Ag' Too many ('";) Triuranium oktoksida (U' Too many ('";) Karbon suboksida (C' Too many ('";) Anhidrida melitat (C' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +1	Tembaga(I) oksida (Cu' Too many ('";) Dikarbon monoksida (C' Too many ('";) Diklorin monoksida ({Cl' Too many ('";) Galium(I) oksida (Ga' Too many ('";) Litium oksida (Li' Too many ('";) Kalium oksida (K' Too many ('";) Rubidium oksida (Rb' Too many ('";) Perak oksida (Ag' Too many ('";) Talium(I) oksida (Tl' Too many ('";) Natrium oksida (Na' Too many ('";) Air (hidrogen oksida) (H' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +2	Aluminium(II) oksida (AlO) Barium oksida (BaO) Berilium oksida (BeO) Kadmium oksida (CdO) Calcium oksida (CaO) Karbon monoksida (CO) Kromium(II) oksida (CrO) Kobalt(II) oksida (CoO) Tembaga(II) oksida (CuO) Besi(II) oksida (FeO) Timbal(II) oksida (PbO) Magnesium oksida (MgO) Raksa(II) oksida (HgO) Nikel(II) oksida (NiO) Nitrogen oksida (NO) Paladium(II) oksida (PdO) Stronsium oksida (SrO) Belerang monoksida (SO) Disulfur dioksida (S' Too many ('";) Timah(II) oksida (SnO) Titanium(II) oksida (TiO) Vanadium(II) oksida (VO) Seng oksida (ZnO)
Tingkat oksidasi +3	Aluminium oksida (Al' Too many ('";) Antimon trioksida (Sb' Too many ('";) Arsenik trioksida (As' Too many ('";) Bismut(III) oksida (Bi' Too many ('";) Boron trioksida (B' Too many ('";) Kromium(III) oksida (Cr' Too many ('";) Dinitrogen trioksida (N' Too many ('";) Erbium(III) oksida (Er' Too many ('";) Gadolinium(III) oksida (Gd' Too many ('";) Galium(III) oksida (Ga' Too many ('";) Holmium(III) oksida (Ho' Too many ('";) Indium(III) oksida (In' Too many ('";) Besi(III) oksida (Fe' Too many ('";) Lantanum oksida (La' Too many ('";) Lutesium(III) oksida (Lu' Too many ('";) Nikel(III) oksida (Ni' Too many ('";) Fosfor trioksida (P' Too many ('";) Prometium(III) oksida (Pm' Too many ('";) Rodium(III) oksida (Rh' Too many ('";) Samarium(III) oksida (Sm' Too many ('";) Skandium oksida (Sc' Too many ('";) Terbium(III) oksida (Tb' Too many ('";) Talium(III) oksida (Tl' Too many ('";) Tulium(III) oksida (Tm' Too many ('";) Titanium(III) oksida (Ti' Too many ('";) Tungsten(III) oksida (W' Too many ('";) Vanadium(III) oksida (V' Too many ('";) Ytterbium(III) oksida (Yb' Too many ('";) Yttrium(III) oksida (Y' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +4	Karbon dioksida (CO' Too many ('";) Karbon trioksida (CO' Too many ('";) Cerium(IV) oksida (CeO' Too many ('";) Klorin dioksida (ClO' Too many ('";) Kromium(IV) oksida (CrO' Too many ('";) Dinitrogen tetroksida (N' Too many ('";) Germanium dioksida (GeO' Too many ('";) Hafnium(IV) oksida (HfO' Too many ('";) Timbal dioksida (PbO' Too many ('";) Mangan dioksida (MnO' Too many ('";) Nitrogen dioksida (NO' Too many ('";) Plutonium(IV) oksida (PuO' Too many ('";) Rodium(IV) oksida (RhO' Too many ('";) Rutenium(IV) oksida (RuO' Too many ('";) Selenium dioksida (SeO' Too many ('";) Silikon dioksida (SiO' Too many ('";) Belerang dioksida (SO' Too many ('";) Telurium dioksida (TeO' Too many ('";) Thorium dioksida (Th' Too many ('";) Timah dioksida (SnO' Too many ('";) Titanium dioksida (TiO' Too many ('";) Tungsten(IV) oksida (WO' Too many ('";) Uranium dioksida (UO' Too many ('";) Vanadium(IV) oksida (VO' Too many ('";) Zirkonium dioksida (ZrO' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +5	Antimon pentoksida (Sb' Too many ('";) Arsenik pentoksida (As' Too many ('";) Dinitrogen pentoksida (N' Too many ('";) Niobium pentoksida (Nb' Too many ('";) Fosfor pentoksida (P' Too many ('";) Tantalum pentoksida (Ta' Too many ('";) Vanadium(V) oksida (V' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +6	Kromium trioksida (CrO' Too many ('";) Molibdenum trioksida (MoO' Too many ('";) Renium trioksida (ReO' Too many ('";) Selenium trioksida (SeO' Too many ('";) Belerang trioksida (SO' Too many ('";) Telurium trioksida (TeO' Too many ('";) Tungsten trioksida (WO' Too many ('";) Uranium trioksida (UO' Too many ('";) Xenon trioksida (XeO' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +7	Diklorin heptoksida (Cl' Too many ('";) Mangan heptoksida (Mn' Too many ('";) Renium(VII) oksida (Re' Too many ('";) Teknesium(VII) oksida (Tc' Too many ('";)
Tingkat oksidasi +8	Osmium tetroksida (OsO' Too many ('";) Rutenium tetroksida (RuO' Too many ('";) Xenon tetroksida (XeO' Too many ('";) Iridium tetroksida (IrO' Too many ('";) Hasium tetroksida (HsO' Too many ('";)
Oksida terkait	Oksokarbon Suboksida Oksianion Ozonida
Oksida diurutkan berdasarkan tingkat oksidasi. Kategori:Oksida